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这项技术虽然没有大规模商业化,但已经有了雄厚的基础,在过去的二十年间,全球科学家围绕半导体纳米线开展了系统深入的研究,为半导体纳米线功能器件领域,带来了蓬勃发展。
根据WebofScience的检索结果统计,从1999年到2015年,全世界关于半导体纳米线研究SCI论文总数超过17万篇。
经过这些年的发展,大家对半导体纳米线的可控制备、性能调控、器件构筑与应用的认识不断加深。
半导体纳米线技术也渐渐在不同领域,展现了巨大应用潜力,正逐渐从基础研究走向实际应用。
目前,基于半导体纳米线的场效应管、纳米发电机、纳米芯片、场发射器件、太阳能电池、发光二极管、激光器、光电探测器、光波导器件、存储器件、光催化以及高敏感化学与生物传感器等功能器件,相继被研制出来。
虽然,这些仅仅是实验室产品,成本极高,并无法大规模商用。
它未来的潜力和价值,却是无法估量的。
特别是在半导体领域,半导体纳米线承载着全球科学家的期盼,有望实现半导体功能器件领域的变革性发展。
根据一些相关领域的大牛展望,半导体纳米线功能器件,或许将成为纳米科技走向应用的重要突破点。
对芯片、各种半导体器材而言,小型化、低能耗和智能化一直是其重要的发展趋势。
当半导体器件线宽小于100nm时,将对设备和制造工艺提出更高要求,成本增加巨大,传统工艺的局限性越严重。
而基于传统工艺的光刻机,从起初的UV光刻机水平,逐步提升到了DUV光刻机水平,再发展到现在的EUV光刻机水平,在这条路上越走越远。
设备越来越大,成本越来越高。
它还有一个致命的缺点,就是有自身的物理极限,发展到一定的地步,就无法再深入发展下去了。
众所周知,光刻机也称紫外线光刻机,是利用紫外线加工芯片,DUV光刻机就是深紫外线光刻机,EUV光刻机就是极深紫外线光刻机。
光的颜色越靠近红色,它的频率越低;越靠近紫色,它的频率就越高。光的速度是一个常数,频率越高,波长越小。
EUV光刻机采用的光频率是极深紫外线频率,对应的波长大约为10~15纳米;DUV光刻机采用的光频率是深紫外线频率,对应的波长大约为200纳米;UV光刻机采用的光频率是紫外线频率,其对应的波长大约为360纳米。
也就是说,光刻机越先进,需要的光频率越高。
光的频率,它是一个物理客观存在的数值,是很难通过人为的手段去改变提高的。
……
现在采用的是极深紫外线频率,很难再找到更高频率的光线,所以光刻机的水平也很难再被提升。
光刻机技术得不到提升,直接导致芯片的制造工艺得不到有效地提升,也让芯片的制造工艺不可能由14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这样一直小下去,它是有物理极限的。
另外,用光刻机制造芯片的原材料硅晶,也有他自身的材料极限。
硅晶的最小的单位“硅原子”直径大约为0.22纳米。
如今传统的芯片制造工艺,是不可能比硅原子还小,超过0.22纳米。这个也是它的一个物理极限。
……
也就是说,传统的芯片制造工艺有两大极限。
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